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3284006Immagine ZXMC4A16DN8TA.Diodes Incorporated

ZXMC4A16DN8TA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMC4A16DN8TA
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMC4A16DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Potenza - Max
    2.1W
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    ZXMC4A16DN8TADI
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel Complementary
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel Complementary 40V 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) 2.1W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

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