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1943083Immagine ZXMN10A08GTA.Diodes Incorporated

ZXMN10A08GTA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMN10A08GTA
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMN10A08GTA.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • Altri nomi
    ZXMN10A08G
    ZXMN10A08GTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

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