Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > ZXMN10A08DN8TA
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1487992Immagine ZXMN10A08DN8TA.Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8TA

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$1.13
10+
$0.989
100+
$0.763
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMN10A08DN8TA
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMN10A08DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Potenza - Max
    1.25W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    ZXMN10A08DN8TACT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.6A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024

Minaccia tariffaria di Trump, Nvidia, fornitori di Intel RI...

28/11/2024

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "ZXMN10A08DN8TA".
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Descrizione: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Descrizione: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Descrizione: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Descrizione: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.