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6300409Immagine ZXMN3A04DN8TA.Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8TA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMN3A04DN8TA
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMN3A04DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    20 mOhm @ 12.6A, 10V
  • Potenza - Max
    1.81W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    ZXMN3A04DN8CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1890pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    36.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.5A

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