Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > ZXMN6A11GTC
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
6377805Immagine ZXMN6A11GTC.Diodes Incorporated

ZXMN6A11GTC

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMN6A11GTC
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMN6A11GTC.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.1A (Ta)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "ZXMN6A11GTC".
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Descrizione: MOSFET N-CH 60V DPAK

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Descrizione: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Descrizione: MOSFET N-CH 60V SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 8SO

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Descrizione: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.