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6081497Immagine ZXMNS3BM832TA.Diodes Incorporated

ZXMNS3BM832TA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMNS3BM832TA
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMNS3BM832TA.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-MLP, MicroFET (3x2)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-VDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    ZXMNS3BM832DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    314pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

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