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EPC8002

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EPC8002
  • Costruttore / Marca
    EPC
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.EPC8002.pdf
    2.EPC8002.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Tecnologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    530 mOhm @ 500mA, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Altri nomi
    917-1118-1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    21pF @ 32.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    65V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

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Produttori: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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Produttori: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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Descrizione:

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