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4224860Immagine IRFBF30PBF.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBF30PBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFBF30PBF
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    125W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    *IRFBF30PBF
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    900V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 900V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.6A (Tc)
IRFBF20SPBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFBF20S

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

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IRFBG30

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

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IRFBF30STRR

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

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IRFBF20STRL

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

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IRFBF20LPBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

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IRFBG30PBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

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IRFBF20STRRPBF

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

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IRFBG20L

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IRFBG20

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IRFBF30S

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

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IRFBF30

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