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Immagine IRFD120PBF.

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFD120PBF

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Specifiche

Modello di prodotti

IRFD120PBF
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IRFD120PBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

270 mOhm @ 780mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi

*IRFD120PBF
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A (Ta)

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