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Immagine IRFI640G.

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFI640G

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Specifiche

Modello di prodotti

IRFI640G
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

IRFI640G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220-3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

180 mOhm @ 5.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi

*IRFI640G
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

9.8A (Tc)

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