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6048707Immagine IRFSL9N60APBF.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFSL9N60APBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRFSL9N60APBF
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRFSL9N60APBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I2PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    750 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    170W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Altri nomi
    *IRFSL9N60APBF
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9.2A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 75V 85A TO262

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK

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