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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IRL640L
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5680933Immagine IRL640L.Electro-Films (EFI) / Vishay

IRL640L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRL640L
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-262-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    180 mOhm @ 10A, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Altri nomi
    *IRL640L
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    66nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 17A (Tc) Through Hole TO-262-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

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