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4167325Immagine IRL6372PBF.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRL6372PBF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IRL6372PBF
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IRL6372PBF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.1V @ 10µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SP001568406
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1020pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8.1A
  • Numero di parte base
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