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SI1002R-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI1002R-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    SI1002R-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-75A
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    560 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    220mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-75A
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    36pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 8V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 610mA (Ta) 220mW (Ta) Surface Mount SC-75A
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    610mA (Ta)

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