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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI1012R-T1-E3

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Immagine SI1012R-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1012R-T1-E3

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Specifiche

Modello di prodotti

SI1012R-T1-E3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SI1012R-T1-E3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SC-75A
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SC-75A
Altri nomi

SI1012R-T1-E3TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

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