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SI1563EDH-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI1563EDH-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI1563EDH-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 100µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-70-6 (SOT-363)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
  • Potenza - Max
    570mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.13A, 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.13A, 880mA
  • Numero di parte base
    SI1563

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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