Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SI4913DY-T1-E3
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1138035

SI4913DY-T1-E3

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI4913DY-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI4913DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 500µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SI4913DY-T1-E3TR
    SI4913DYT1E3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.1A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.1A
  • Numero di parte base
    SI4913

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024

La scheda grafica Nvidia RTX 5090 ha un'area GPU di 744...

25/11/2024

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "SI4913DY-T1-E3".
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.