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SI4900DY-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI4900DY-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI4900DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    58 mOhm @ 4.3A, 10V
  • Potenza - Max
    3.1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SI4900DY-T1-GE3-ND
    SI4900DY-T1-GE3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    665pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Numero di parte base
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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