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2440482Immagine SI5915BDC-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5915BDC-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI5915BDC-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI5915BDC-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    1206-8 ChipFET™
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Potenza - Max
    3.1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    420pF @ 4V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 8V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    8V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A
  • Numero di parte base
    SI5915

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Descrizione: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

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