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4857511Immagine SI7106DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7106DN-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI7106DN-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI7106DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.5W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® 1212-8
  • Altri nomi
    SI7106DN-T1-GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    27 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12.5A (Ta)

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SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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SI7107DN-T1-GE3

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7100DN-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

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Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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