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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SI7983DP-T1-GE3

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Immagine SI7983DP-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7983DP-T1-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SI7983DP-T1-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SI7983DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 600µA
Contenitore dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

17 mOhm @ 12A, 4.5V
Potenza - Max

1.4W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

PowerPAK® SO-8 Dual
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A
Numero di parte base

SI7983

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