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1357911Immagine SI8469DB-T2-E1.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8469DB-T2-E1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI8469DB-T2-E1
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI8469DB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    64 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    780mW (Ta), 1.8W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    4-UFBGA
  • Altri nomi
    SI8469DB-T2-E1CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    900pF @ 4V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    8V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Ta)

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