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607209Immagine SI8800EDB-T2-E1.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8800EDB-T2-E1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI8800EDB-T2-E1
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI8800EDB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-Microfoot
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    80 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Altri nomi
    SI8800EDB-T2-E1TR
    SI8800EDBT2E1
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    46 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 8V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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