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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SI8819EDB-T2-E1
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SI8819EDB-T2-E1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI8819EDB-T2-E1
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    SI8819EDB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
  • Dissipazione di potenza (max)
    900mW (Ta)
  • Contenitore / involucro
    4-XFBGA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    650pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 8V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 3.7V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 12V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Ta)

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