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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SIB456DK-T1-GE3
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2814685Immagine SIB456DK-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB456DK-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIB456DK-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIB456DK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    185 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Altri nomi
    SIB456DK-T1-GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    130pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 6.3A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.3A (Tc)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Samtec, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

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