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4127202Immagine SIB900EDK-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB900EDK-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIB900EDK-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIB900EDK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • Potenza - Max
    3.1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Altri nomi
    SIB900EDK-T1-GE3TR
    SIB900EDKT1GE3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.5A
  • Numero di parte base
    SIB900

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Pagamento
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

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Produttori: Samtec, Inc.
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: .050 SIBF ASSEMBLY

Produttori: Samtec, Inc.
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