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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SIHB33N60ET1-GE3

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Immagine SIHB33N60ET1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB33N60ET1-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SIHB33N60ET1-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

SIHB33N60ET1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)
Serie

E
Rds On (max) a Id, Vgs

99 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

278W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3508pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

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