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3705290Immagine SIHB35N60E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB35N60E-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIHB35N60E-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIHB35N60E-GE3.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    94 mOhm @ 17A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    250W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2760pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    132nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

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