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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SIHFR1N60A-GE3

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Immagine SIHFR1N60A-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHFR1N60A-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SIHFR1N60A-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

SIHFR1N60A-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-252AA
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

7 Ohm @ 840mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

36W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

SIHFR1N60A-GE3TR
SIHFR1N60A-GE3TR-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

18 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

229pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Tc)

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