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5192891Immagine SIHG11N80E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG11N80E-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIHG11N80E-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIHG11N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247AC
  • Serie
    E
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    440 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    179W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1670pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    800V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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SIHG15N60E-GE3

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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