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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SIHJ8N60E-T1-GE3
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5311371Immagine SIHJ8N60E-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHJ8N60E-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIHJ8N60E-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIHJ8N60E-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    520 mOhm @ 4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    89W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® SO-8
  • Altri nomi
    SIHJ8N60E-T1-GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    754pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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