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7037875Immagine SIJH440E-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJH440E-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIJH440E-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIJH440E-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® 8 x 8
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    0.96 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    158W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    SIJH440E-T1-GE3DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    20330pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    195nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 200A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

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