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77880Immagine SIR770DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR770DP-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIR770DP-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIR770DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.8V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    21 mOhm @ 8A, 10V
  • Potenza - Max
    17.8W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Altri nomi
    SIR770DP-T1-GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    900pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8A

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

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In magazzino
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SIR808DP-T1-GE3

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

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Descrizione: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

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