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445289Immagine SIS903DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS903DN-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIS903DN-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SIS903DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Serie
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Altri nomi
    SIS903DN-T1-GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2565pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

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