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6507949Immagine SIUD402ED-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIUD402ED-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SIUD402ED-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    SIUD402ED-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® 0806
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    730 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.25W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® 0806
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    16pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 8V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

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