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SQ1470AEH-T1_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQ1470AEH-T1_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SQ1470AEH-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-363, SC70
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    65 mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.3W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    SQ1470AEH-T1_GE3CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    450pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 1.7A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-363, SC70
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Tc)

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