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257408Immagine SQJ500AEP-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ500AEP-T1_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQJ500AEP-T1_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SQJ500AEP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    27 mOhm @ 6A, 10V
  • Potenza - Max
    48W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    SQJ500AEP-T1_GE3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1850pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    38.1nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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