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944012Immagine SQJ872EP-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ872EP-T1_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQJ872EP-T1_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHAN 150V
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SQJ872EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    35.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    55W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    SQJ872EP-T1_GE3DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1045pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    150V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 150V 24.5A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    24.5A (Tc)

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