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2974356Immagine SQJ990EP-T1_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ990EP-T1_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQJ990EP-T1_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SQJ990EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V
  • Potenza - Max
    48W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Altri nomi
    SQJ990EP-T1_GE3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V, 15nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 34A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)

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