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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SQM200N04-1M8_GE3
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SQM200N04-1M8_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQM200N04-1M8_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    SQM200N04-1M8_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-263-7
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.8 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    375W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    17350pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    310nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

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Descrizione: RES WW 2W 5% TH

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