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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SUD50N03-06AP-T4E3
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5474475Immagine SUD50N03-06AP-T4E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUD50N03-06AP-T4E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SUD50N03-06AP-T4E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 90A TO252
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SUD50N03-06AP-T4E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    10W (Ta), 83W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3800pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 90A (Tc) 10W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

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