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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SUD50P10-43L-E3
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6617172Immagine SUD50P10-43L-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUD50P10-43L-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SUD50P10-43L-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SUD50P10-43L-E3.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    43 mOhm @ 9.2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    8.3W (Ta), 136W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    SUD50P10-43L-E3DKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4600pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 100V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    37.1A (Tc)

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