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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SUM60N02-3M9P-E3

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Immagine SUM60N02-3M9P-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SUM60N02-3M9P-E3

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Specifiche

Modello di prodotti

SUM60N02-3M9P-E3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SUM60N02-3M9P-E3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-263 (D2Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

3.9 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 120W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

SUM60N02-3M9P-E3-ND
SUM60N02-3M9P-E3TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5950pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 60A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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