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2544940Immagine SUV85N10-10-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUV85N10-10-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SUV85N10-10-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SUV85N10-10-E3.pdf
    2.SUV85N10-10-E3.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.75W (Ta), 250W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6550pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    85A (Tc)

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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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