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3489146Immagine FQD5N15TM.Fairchild/ON Semiconductor

FQD5N15TM

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FQD5N15TM
  • Costruttore / Marca
    Fairchild (onsemi)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.FQD5N15TM.pdf
    2.FQD5N15TM.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - Prova
    230pF @ 25V
  • Tensione - Ripartizione
    D-Pak
  • Vgs (th) (max) a Id
    800 mOhm @ 2.15A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    QFET®
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.3A (Tc)
  • Polarizzazione
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    FQD5N15TM-ND
    FQD5N15TMTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    FQD5N15TM
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 150V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    150V
  • rapporto di capacità
    2.5W (Ta), 30W (Tc)

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