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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FQPF8N80CYDTU

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Immagine FQPF8N80CYDTU.

Fairchild/ON Semiconductor

FQPF8N80CYDTU

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Specifiche

Modello di prodotti

FQPF8N80CYDTU
Costruttore / Marca

Fairchild (onsemi)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FQPF8N80CYDTU.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

2050pF @ 25V
Tensione - Ripartizione

TO-220F-3 (Y-Forming)
Vgs (th) (max) a Id

1.55 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

QFET®
Stato RoHS

Tube
Rds On (max) a Id, Vgs

8A (Tc)
Polarizzazione

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

23 Weeks
codice articolo del costruttore

FQPF8N80CYDTU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45nC @ 10V
Tipo IGBT

±30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

5V @ 250µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

800V
rapporto di capacità

59W (Tc)

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