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Immagine ISL9R8120S3ST.

Fairchild/ON Semiconductor

ISL9R8120S3ST

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Specifiche

Modello di prodotti

ISL9R8120S3ST
Costruttore / Marca

Fairchild (onsemi)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

ISL9R8120S3ST.pdf
Modello ECAD
Tensione - Picco inversa (max)

Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

8A
Tensione - Ripartizione

TO-263AB
Serie

Stealth™
Stato RoHS

Tape & Reel (TR)
Tempo di ripristino inverso (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F

30pF @ 10V, 1MHz
Polarizzazione

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

ISL9R8120S3ST-ND
ISL9R8120S3STFSTR
Temperatura di funzionamento - Giunzione

300ns
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore

ISL9R8120S3ST
Descrizione espansione

Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB
Configurazione diodo

100µA @ 1200V
Descrizione

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Corrente - Dispersione inversa a Vr

3.3V @ 8A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)

1200V (1.2kV)
Capacità a Vr, F

-55°C ~ 150°C

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Metodi di pagamento

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