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369398Immagine MB85R1002ANC-GE1.Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R1002ANC-GE1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MB85R1002ANC-GE1
  • Costruttore / Marca
    Fujitsu Electronics America, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FRAM 1M PARALLEL 48TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MB85R1002ANC-GE1.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    150ns
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • Altri nomi
    865-1169
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 150ns 48-TSOP
  • Tempo di accesso
    150ns

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