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722664Immagine MB85R256FPFCN-G-BNDE1.Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MB85R256FPFCN-G-BNDE1
  • Costruttore / Marca
    Fujitsu Electronics America, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MB85R256FPFCN-G-BNDE1.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    150ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    28-TSOP I
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • Altri nomi
    865-1170
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-TSOP I
  • Tempo di accesso
    150ns

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Pagamento
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Descrizione: IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP

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Descrizione: IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP

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