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MB85RS2MTAPH-G-JNE2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MB85RS2MTAPH-G-JNE2
  • Costruttore / Marca
    Fujitsu Electronics America, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MB85RS2MTAPH-G-JNE2.pdf
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.8 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-DIP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Altri nomi
    865-1285
    MB85RS2MTAPH-G-JNE2-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    SPI
  • Formato di memoria
    FRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) SPI 40MHz 8-DIP
  • Frequenza dell'orologio
    40MHz

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Pagamento
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